گذار از رفتار مغناطیسی تک حوزه ای برهمکنشی به تک حوزه ای غیر برهمکنشی با افزایش درصد zn و تابکاری در نانوسیم های cozn

کاربرد فوق العاده نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی در حافظه های مغناطیسی و حسگرهای مغناطیسی gmr باعث اهمیت ویژه این نانوسیم ها شده است. با وجود اینکه نانوسیمهای کبالت در دستگاه های ثبت مغناطیسی عمودی مورد توجه هستند. اما برهم کنش مغناطیسی زیاد کبالت مانع از استفاده بهینه نانوسیم-های کبالت در این دستگاه ها می شود. در این تحقیق بر آن شدیم تا با افزودن یک ماده غیرمغناطیسی مانند zn شرایط مغناطیسی، وادارندگی و برهمکنش مغناطیسی آرایه نانوسیم ها را بررسی کنیم. در این تحقیق ساخت نانوسیم های cozn به روش الکتروانباشت پالسی در قالب آلومینای حفره دار که با روش آندایز نرم تهیه شده بود، انجام گردید. تغییر تدریجی درصد zn در ترکیب آلیاژی و همچنین فرآیند تابکاری عوامل موثر مورد مطالعه در این تحقیق بر روی نانوسیم های آلیاژی cozn بود. پس از ساخت نانوسیم ها، آنالیزهای eds ، xrd،sem و vsm بر روی نمونه ها انجام شد که مهمترین آنها آنالیز forc بود که با دستگاه vsm انجام شد. از دیاگرام های forc نتایج قابل توجهی راجع به چگونگی توزیع برهمکنش و وادارندگی در نانوسیم ها بدست آمد. تغییر رفتار حوزه های مغناطیسی از تک حوزه ای برهمکنش دار به تک حوزه ای بدون برهمکنش، رفتار مغناطیسی چند حوزه ای و پیدایش فاز ابرپارامغناطیس با افزایش تدریجی zn مشاهده شد. انجام فرآیند تابکاری در این کار گرچه تاثیر زیادی بر برهمکنش های مغناطواستاتیک نداشت ولی باعث انتقال توزیع وادارندگی نانوسیم ها به سمت وادارندگی های بالاتری شد. نتایج ساختار شناسی توسط اشعه xنشان داد که با افزایش مقدار zn در نانوسیم، ساختار بلوری به سرعت به سمت کاهش تبلور و در نهایت آمورف شدن پیش می رود. ولی برای نانوسیم های غنی از روی بار دیگر ساختار بلوری نمونه ها با شبکه بلوری zn ظاهر می شود. تغییرات حوزه های بدون برهمکنش و برهمکنش دار و درصد سنجی آنها در هر نمونه و همچنین در جایی که نانوسیم های مغناطیسی دو فازی می شد مورد مطالعه قرار گرفت و جمعیت فاز نرم (میدان وادارندگی پایین) و فاز سخت (میدان وادارندگی بالا) به لحاظ آماری محاسبه شد و در نهایت رفتار مغناطیسی نانوسیم ها بر اساس آن مورد تحلیل قرار گرفت.